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本发明公开了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)及其形成方法。该方法包括外延生长第一III‑V族化合物层、以及在第一III‑V族化合物层上方外延生长第二III‑V族化合物层，其中，在第二III‑V族化合物层上形成第一自然氧化物层。该方法还包括...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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