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本文所述的实现方式大体涉及金属硅化物的选择性沉积的方法。更具体地，本文所述的实现方式大体涉及形成用于半导体应用的硅化镍纳米线的方法。在一个实现方式中，提供一种处理基板的方法。所述方法包括以下步骤：在基板表面上形成含硅层；在所述含硅层上形成含...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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