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一种基于多层氮化硼的RRAM器件及其制备方法技术
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文档序号:14980854
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本发明公开了一种基于多层氮化硼的RRAM器件及其制备方法,所述的RRAM器件包括介电层、下电极、上电极,所述的介电层为多层氮化硼,所述的下电极为铜箔,所述的上电极为钛和金。制备方法为:(1)采用化学气相沉积法生长氮化硼,得到最终的氮化硼/铜...
该专利属于苏州大学所有,仅供学习研究参考,未经过苏州大学授权不得商用。
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