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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种分离式栅闪存结构，一方面通过将字线栅由厚度更小的金属栅取代以减小字线栅的阻值，并释放空间，以便于通过设置部分位于字线栅之上的控制栅的下表面低于浮栅的上表面使得控制栅与浮栅具有部分的纵向交叠区域，以增...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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