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本发明公开了一种可调节荧光和室温铁磁性的四元稀磁量子点材料及其制备方法，该量子点材料为由2到4层ZnS壳包裹的CuNiInS四元量子点，结构式为：CuNiInS@ZnS。其制备方法包括如下步骤：(1)具有室温铁磁性CuNiInS核的制备；(...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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