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本发明涉及一种MOS管参数退化电路，包括NMOS管与PMOS管；NMOS管的栅极与PMOS管的栅极连接，NMOS管的漏极与PMOS管的漏极连接；PMOS管的栅极接电源；NMOS管的源极接收控制信号；控制信号为高电平信号时，NMOS管的沟道产...
该专利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子产品可靠性与环境试验研究所授权不得商用。

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