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本发明提供了一种惯性传感器及其制作方法，在封帽硅片和器件硅片键合之后，刻蚀形成封帽硅片上的深槽引线窗口的同时，利用器件硅片上的图形化的金属电极层作为掩膜刻蚀形成压点柱，避免在形成可动质量块的过程中，采用的氢氟酸气相腐蚀工艺腐蚀压点柱结构下层...该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司授权不得商用。