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本发明公开了一种AlGaN模板、AlGaN模板的制备方法及AlGaN模板上的半导体器件，属于半导体技术领域。AlGaN模板包括：衬底和在衬底上沉积的Al1-xGaxN结晶薄膜，0<x<1。半导体器件包括：模板和氮化物半导体层，所...
该专利属于华灿光电(苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电(苏州）有限公司授权不得商用。

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