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本发明提供了一种磁性随机存储器记忆单元，包括堆叠结构和自旋阀控制层，堆叠结构包括：磁性参考层、磁性记忆层、隧道势垒层、中间层和自旋阀层；磁性参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；磁性记忆层和自旋阀层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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