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本发明公开了一种具有宽谱广角特性的错位膜层减反结构，所述结构包括半导体基底、第一错位膜层和第二错位膜层，所述半导体基底为具有纳米柱结构的半导体基底，所述第一错位膜层为覆盖在半导体基底上方的膜层，所述第二错位膜层为覆盖在第一错位膜层上方的膜层...
该专利属于南京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京航空航天大学授权不得商用。

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