温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；衬底具有漂移区，漂移区包括：元胞区及终端区；在漂移区对应终端区的上表面内形成主结以及场限环；在漂移区对应元胞区的上表面内形成多个IGBT元胞；在漂移区的下表面内形成集电...该专利属于上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。