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本发明涉及具有裂纹终止的集成电路结构及其形成方法。本发明的第一态样在提供集成电路结构。该集成电路结构可以包括在裂纹终止区域中的衬底上的第一介电层中的第一金属结构；以及在第二介电层中的第一裂纹终止结构，且该裂纹终止结构是在该第一金属结构上方并...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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