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本发明公开了一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅片上进行光刻、刻蚀，形成沟槽；2)在步骤1)中得到的具有沟槽的硅片上生长SiO2阻挡层；3)在步骤2)中得到的硅片上淀积多晶硅牺牲层；4)采用化学机械抛光工...
该专利属于重庆中科渝芯电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆中科渝芯电子有限公司授权不得商用。

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