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本申请涉及全门N纳米丝器件以及该器件的制造方法。本发明揭示了GAA纳米丝半导体器件和制造该GAA纳米丝半导体器件的方法。GAA纳米丝半导体器件包括：具有主表面的半导体基材；在基材上的纳米丝的垂直堆叠；纳米丝具有平行于主表面的纵向方向；垂直堆...
该专利属于IMEC非营利协会所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会授权不得商用。

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