温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及使半导体器件的性能提高的半导体器件及其制造方法。具有光波导路和p型半导体部的半导体器件以如以方式构成。光波导路具有：形成在绝缘层上的第1半导体层、形成在第1半导体层上的绝缘层以及形成在绝缘层上的第2半导体层。此外，p型半导体部具有...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。