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晶圆及其制备方法技术
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文档序号:14652353
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本发明提供一种晶圆及其制备方法,包括多个结构相同的晶粒,每个晶粒中间的超结元胞结构包括P型掺杂区与N型掺杂区,两种掺杂区中至少一种划分为多个子区域,同种掺杂类型的相邻子区域被另一种类型的掺杂区分隔开;制备方法包括以下步骤:(1)采用N型硅片...
该专利属于电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学授权不得商用。
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