温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明是抗击穿的HEMT衬底和器件。一种具有主表面和后表面的化合物半导体器件结构包括：包括第一和第二衬底层的硅衬底。所述第一衬底层延伸至所述后表面。所述第二衬底层延伸至所述硅衬底的与所述后表面相反的第一侧，使得所述第一衬底层通过所述第二衬底...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。