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本发明公开了一种深能级快速离化导通器件及其制造方法，属于半导体器件工艺制造技术领域。本发明包括N型半导体基片，所述N型半导体基片的正面为P型扩散区，所述P型扩散区上分布阴极P+区、阴极N+区和P+保护环，在所述阴极P+区、阴极N+区和P+保...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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