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本发明公开了一种高效绝缘栅双极IGBT结构变频器,包括中央处理器、键盘模块、PLC模块、电源模块、显示模块、变频器输出电路、驱动模块、滤波电路、电流电压采样模块、以及保护模块,利用在绝缘栅双极晶体管(IGBT)结构内的栅极中掺杂杂质,降低其...该专利属于施一电气科技(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过施一电气科技(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种高效绝缘栅双极IGBT结构变频器,包括中央处理器、键盘模块、PLC模块、电源模块、显示模块、变频器输出电路、驱动模块、滤波电路、电流电压采样模块、以及保护模块,利用在绝缘栅双极晶体管(IGBT)结构内的栅极中掺杂杂质,降低其...