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本发明公开了一种扩大Ti/TiN应力窗口的工艺方法，包含：第1步，形成器件之后，进行接触孔沟槽的刻蚀；第2步，进行第一次快速热处理；第3步，淀积Ti/TiN膜层；第4步，进行第二次快速热处理。本发明工艺在Ti/TiN膜形成之前，加入特殊的热...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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