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本发明公开了一种碳化硅半导体，所述碳化硅半导体两侧设置有耐压层，可以进一步增加半导体的耐压性能，所述N-集电层内设置有沟道，所述沟道与沟道之间设置有绝缘保护膜，可以在N-集电层内形成低电阻的电流通道，从而提高击穿电压值，所述欧姆接触层内设置...
该专利属于泰州优宾晶圆科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰州优宾晶圆科技有限公司授权不得商用。

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