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本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法。存储结构包括：衬底；N位模数转换电路，制备于衬底上；存储阵列，制备于N位模数转换电路上，包括至少一个存储单元，存储单元包括至少两个存储列；一存储列预存储有参考电压，另...
该专利属于上海新储集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新储集成电路有限公司授权不得商用。

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