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本发明涉及一种适用于黑硅硅片的减反射层结构，硅基板以及在所述硅基板上形成的减反射层，所述减反射层包括：在所述硅基板形成的第一硅的氮化物材料层；在所述第一硅的氮化物材料层上形成的第二硅的氮化物材料层；在所述第二硅的氮化物材料层上形成的第三硅的...该专利属于徐州鑫宇光伏科技有限公司;协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过徐州鑫宇光伏科技有限公司;协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司授权不得商用。