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一种晶体管的形成方法,包括:提供具有第一有源区和第二有源区的衬底,衬底表面具有介质层,介质层内具有暴露出部分第一有源区和第二有源区表面的第一开口,第一开口的底部表面具有栅介质层;在介质层表面、以及第一开口的侧壁和底部表面形成第一功函数膜;对...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种晶体管的形成方法,包括:提供具有第一有源区和第二有源区的衬底,衬底表面具有介质层,介质层内具有暴露出部分第一有源区和第二有源区表面的第一开口,第一开口的底部表面具有栅介质层;在介质层表面、以及第一开口的侧壁和底部表面形成第一功函数膜;对...