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本发明提供了一种锗硅TEM样品的制备方法，包括：提供一含有锗硅区域的半导体器件衬底，将衬底放入FIB反应腔中，找到含有锗硅区域的目标区域；在目标区域上沉积金属保护层；设置I‑Beam电压、电流参数，将衬底进行翻转，采用所设定的离子束轰击目标...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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