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本发明提供了一种肖特基二极管的加工方法和肖特基二极管，其中肖特基二极管的加工方法包括：在形成有氮化镓层的基底的正面依次形成氮镓铝层和复合绝缘层，所述复合绝缘层包括层叠的第一绝缘层和第二绝缘层；去除所述氮化镓层的阴极区域上方对应的复合绝缘层，...该专利属于北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。