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本发明提供一种铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法，所述铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器结构，包括：一GaSb衬底；一第一GaSb缓冲层，其生长在GaSb衬底上；一InGaAsSb PIN型短波器件，其生长在第一GaSb缓冲层上；一第...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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