温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种鳍式场效应管的制作方法，包括：第一步骤：提供已经形成浅沟槽隔离和鳍式结构的晶圆；第二步骤：采用FCVD沉积氧化硅薄膜对浅沟槽进行部分填充；第三步骤：在晶圆上沉积一层致密的氮化硅薄膜层；第四步骤：通过干法刻蚀去除水平方向的氮化...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。