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本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第二导...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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