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本发明公开了一种SiC基器件的栅介质层的形成方法，该形成方法包括以下步骤：提供SiC衬底；在所述SiC衬底之上形成氧化硅层；在所述氧化硅层之上形成金属层；对所述金属层进行热处理以形成金属氧化物层；以及在所述金属氧化层之上形成栅电极。本发明的...
该专利属于比亚迪股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪股份有限公司授权不得商用。

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