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本发明涉及一种高传质性硒化铜微纳米粉体材料，具体地为一种硒化铜微纳米粉体材料，所述微纳米粉体材料为半导体化合物，所述半导体化合物的化学式为CuxSe:M，x＝1～2；M＝Sb,Sn,Bi；其熔点低于550℃。本发明所述的硒化铜微纳米粉体材料...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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