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本发明提出了一种具有变K介质折叠横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。利用器件漂移区与场板之间的变K介质层对器件漂移区表面的电场进行调制优化，由于在不同介质处介电常数存在差异产生新的电场峰，新的电场峰对器件漂移区表面的电场进行调制，使得漂移区...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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