温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种生长多晶硅栅过分刻蚀的N型MOS管结构的方法，包括以下步骤：在硅片上注入硼离子以形成p阱；使用干法例子刻蚀机刻蚀隔离槽与多晶硅栅处的下凹槽；使用化学气相沉积的方式，在隔离区上淀积氧化硅填充隔离槽；使用化学机械抛光的方式，对步...
该专利属于无锡宏纳科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡宏纳科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。