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本发明公开了一种采用电化学工艺制作GaAs MMIC背面通孔的方法，该方法采用MOCVD在半绝缘的GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs MMIC异质外延结构；通过台面隔离、正面电极制作、欧姆接触(肖特基势垒制作)、电镀等工艺完成器件的正...
该专利属于中山德华芯片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中山德华芯片技术有限公司授权不得商用。

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