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本发明公开了一种基于TSV技术和LTCC技术的开关矩阵的制造方法，其特征在于基于TSV技术在双面抛光的硅基片上，通过深硅刻蚀、电镀、研磨抛光、堆叠等工艺，获得开关矩阵的射频单元；基于LTCC技术在生瓷片上，通过冲孔、填孔、印刷、叠片、层压、...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十四研究所授权不得商用。

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