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本发明公开了一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，包括：在硅衬底上形成第一光刻胶层，在第一光刻胶层上形成第一绝缘层；形成若干个阵列状排布的、贯穿所述第一绝缘层与第一光刻胶层至硅衬底的上表面的孔洞，并在孔洞内填充金属以形成金属体；形成一端与...
该专利属于中国科学院深圳先进技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院深圳先进技术研究院授权不得商用。

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