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本发明公开的LTPS组件的制造方法，包括：提供基板，并在基板上制备形成多晶硅层；在多晶硅层上制备形成栅极金属层；针对多晶硅层以第一注入剂量进行第一次离子注入，藉此在多晶硅层内形成源极区、漏极区、以及位于源极区和漏极区之间的沟道区；对多晶硅层...
该专利属于上海和辉光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海和辉光电有限公司授权不得商用。

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