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本申请提供了一种半导体器件结构及其制作方法。该半导体器件结构包括：衬底，包括第一区域和第二区域，且第二区域中设置有沟槽；第一栅结构，设置于沟槽中；第二栅结构，设置于第一栅结构的表面上；第三栅结构，设置于第一区域的表面上。由于上述第二栅结构和...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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