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本发明提供了一种密封环及防止芯片于切割时损伤的方法，所述密封环包括多层金属层，其中至少一层所述金属层上设置有多个贯穿所述金属层的金属槽。本发明中位于金属层上的金属槽不仅可减小电流集边效应，同时还可以缓解金属层与金属间电介质层的膨胀系数之差，...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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