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本发明公开了一种TFT阵列半曝光光刻工艺，在薄膜晶体管沟道位置处设置低于曝光设备临界分辨率大小图形的光掩膜板，在己形成半导体膜层和金属膜层的衬底上实施光刻工艺。本发明可以应用于TFT‑LCD生产中的硅岛图案和源/漏级图案形成，可以仅利用一次...
该专利属于苏州众显电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州众显电子科技有限公司授权不得商用。

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