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本发明公开了一种应力记忆高分子材料,具有不同的相筹及两个以上转变温度,其制备过程包括预处理(移除塑性应变)和应力记忆编程,所述应力记忆编程包括以下步骤:i. 加热所述应力记忆高分子材料至T1;ii. 拉伸所述应力记忆高分子材料至εI.S;i...该专利属于理大产学研基地(深圳)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过理大产学研基地(深圳)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种应力记忆高分子材料,具有不同的相筹及两个以上转变温度,其制备过程包括预处理(移除塑性应变)和应力记忆编程,所述应力记忆编程包括以下步骤:i. 加热所述应力记忆高分子材料至T1;ii. 拉伸所述应力记忆高分子材料至εI.S;i...