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描述了栅极对准接触部和形成栅极对准接触部的方法。例如，制造半导体结构的方法包括在形成于衬底之上的有源区之上形成多个栅极结构。栅极结构每个均包括栅极电介质层、栅极电极和侧壁间隔体。多个接触插塞被形成，每个接触插塞直接在多个栅极结构中的两个相邻...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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