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一种刻蚀监测方法,包括:形成基底,基底内包括导电材料层,导电材料层表面的宽度与导电材料层的厚度相关;测量第一测量尺寸;刻蚀浮栅层和导电材料层并获得第一刻蚀速率以及第二刻蚀速率;测量第二测量尺寸;根据第一测量尺寸和第二测量尺寸获得导电材料层的...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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一种刻蚀监测方法,包括:形成基底,基底内包括导电材料层,导电材料层表面的宽度与导电材料层的厚度相关;测量第一测量尺寸;刻蚀浮栅层和导电材料层并获得第一刻蚀速率以及第二刻蚀速率;测量第二测量尺寸;根据第一测量尺寸和第二测量尺寸获得导电材料层的...