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本发明涉及一种硅的新相，Si24，和其制备方法。Si24具有准‑直接带隙，其中直接带隙值为1.34eV，间接带隙值为1.3eV。本发明还涉及一种式Na4Si24的化合物和其制备方法。Na4Si24可以用作制备Si24的前体。...
该专利属于华盛顿卡耐基研究所所有，仅供学习研究参考，未经过华盛顿卡耐基研究所授权不得商用。

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