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本发明公开了一种新型贴片式忆容器，包括自下至上依次设置的硅衬底、第一金属薄膜、第一氧化物薄膜、第二氧化物薄膜和第二金属薄膜，其中，所述第一金属包括Au、Cu、Pt、Ag、Co中的一种，所述第一氧化物包括TiO2、HfO2、TaO2、SrTi...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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