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本发明提供一种干蚀刻装置及降低其内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法，设置屏蔽环包括屏蔽环本体(41)、及多个独立的细部调整件(42)，在屏蔽环本体(41)顶部趋近吸附平台(3)的部位裁切出横截面呈“L”形的缺口(411)，所述细部调整件(42)...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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