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本发明提供了用于闪存单元的诸如纳米硅尖(SiNT)薄膜的量子纳米尖(QNT)以增大擦除速度。QNT薄膜包括第一介电层和布置在第一介电层上方的第二介电层。此外，QNT薄膜包括布置在第一介电层上方并且延伸至第二介电层内的QNT。QNT高宽比大于...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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