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本发明提供一种碳化硅衬底、碳化硅半导体器件和制造碳化硅衬底的方法。碳化硅衬底(10)具有碳化硅外延层(12)。碳化硅外延层(12)具有第一主表面(12b)和与第一主表面(12b)相反的第二主表面(12d)。在垂直于所述第二主表面(12d)的...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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