温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种硅衬底上外延氮化镓薄膜及制备HEMT器件的方法，包括以下步骤：S1，在硅衬底表面外延生长用作插入层的SiC层；S2，对硅衬底进行氮化镓外延工艺；该工艺进一步包括以下步骤：S21，对SiC层的表面进行处理，以形成一层铝单原子层；...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。