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本发明公开了一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，n型掺杂沟道区域，局域无掺杂区域，V‑pits的局域电子阻挡层，P型氮化物，以及 P型接触层，其特征在于：所述多量子阱区域的V‑pits两侧具有局域无掺杂区...
该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。

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